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产品信息
场效应管 MOSFET N D2-PAK 200V 17A
晶体管极性: ñ频道
电流, Id 连续: 17A
电压, Vds : 200V
在电阻RDS（上）: 180mohm
电压 @ Rds测量: 5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
功耗, Pd: 125W
封装类型: D2-PAK
针脚数: 3
SMD标号: L640S
上升时间: 83ns
下降时间: 52ns
功率, Pd: 125W
功耗: 125W
功耗(于1平方英寸PCB): 3.1W
单脉冲雪崩能量 Eas: 580mJ
外宽: 10.16mm
外部深度: 15.49mm
外部长度/高度: 4.69mm
封装类型: D2-PAK
封装类型, 替代: D2-PAK
时间, trr 典型值: 56ns
晶体管数: 1
重复雪崩能量 Ear: 13mJ
栅极电荷 Qg N沟道: 66nC
���度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 值: 17A
热阻, 结至外壳 A: 1°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量: 5V
电压, Vds: 200V
电压, Vds 典型值: 200V
电压, Vgs Rds N沟道: 5V
电压, Vgs : 10V
电容值, Ciss 典型值: 1800pF
电流, Idm 脉冲: 68A
电流, Idss : 25µA
结温, Tj : -55°C
结温, Tj : 150°C
表面安装器件: 表面安装
重复雪崩电流, Iar: 10A
阈值电压, Vgs th : 1V
阈值电压, Vgs th : 2V