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产品信息
功率MOSFET N沟道 500W VHF 双管推挽式
晶体管类型: RF MOSFET
电压, Vds : 125V
电流, Id 连续: 18A
功耗, Pd: 500W
工作频率范围: 400MHz 到 520MHz
封装类型: SOT-262A1
针脚数: 5
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011)
功率, Pd: 500W
功耗: 500W
在电阻RDS（上）: 200mohm
存储温度, : -65°C
存储温度, : 150°C
封装类型: SOT-262A1
封装类型: SOT-262A1
晶体管极性: ñ频道
功耗: 500W
漏极电流, Id 值: 18A
电压 @ Rds测量: 10V
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds: 125V
电压, Vgs : 20V
结温, Tj : 200°C
阈值电压, Vgs th : 2V
阈值电压, Vgs th : 4.5V