北京京北通宇电子元件有限公司

15年

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Discrete Semiconductor Products  半导体» 晶体管» MOSFET» MTD3055VL
Discrete Semiconductor Products  半导体» 晶体管» MOSFET» MTD3055VL
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Discrete Semiconductor Products 半导体» 晶体管» MOSFET» MTD3055VL

型号/规格:

512-MTD3055VL

品牌/商标:

MOSFET

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产品信息

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压:  60V

闸/源击穿电压:   +/- 20 V

漏极连续电流:    12A

电阻汲极/源极 RDS(导通):    0.18 Ohms

 配置:     Single      

 工作温度:   +175 C

安装风格;   SMD/SMT

封装/箱体:     TO-252AA

封装:           Reel

 下降时间:      90ns

 工作温度:  -55 C

功率消耗:      3.9W

上升时间:     190ns