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产品信息
产品参数；
产品种类: MOSFET 晶体管极性: P-Chnnel ， 汲极/源极击穿电压: 20v
漏极连续电流: 42A 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.95mOhms
工作温度: +150C 正向跨导 gFS（值/值） : 95S
工作温度； 15 C 功率耗散: 6250 mW
配置: Single Quad Drain Triple Source
用于设计的技术。
Features：MOSFETs feature the newest generation of p-channel silicon technology, enabling these devices to provide industry-best on-resistance specifications, such as 1.9 milliohms in the PowerPAK® SO-8. With on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market, Vishay Siliconix TrenchFET Gen III P-Channel power MOSFETs provide lower conduction losses for higher efficiency and longer time between charges for battery-operated applications.