北京京北通宇电子元件有限公司

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FDA28N50晶体管 通孔 N 通道 500 V 28A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN

发布时间: 2025/6/23 16:41:19 | 6 次阅读

零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值)
155 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值)
5V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)
105 nC @ 10 V
Vgs(值)
?30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)
5140 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(值)
310W(Tc)
工作温度
-55?C ~ 150?C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3PN
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3