北京京北通宇电子元件有限公司

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FQD18N20V2TM晶体管表面贴装型 N 通道 200 V 15A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) TO-252AA

发布时间: 2025/6/23 16:37:04 | 10 次阅读

FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值)
140 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值)
5V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)
26 nC @ 10 V
Vgs(值)
?30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)
1080 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(值)
2.5W(Ta),83W(Tc)
工作温度
-55?C ~ 150?C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 %2B耳片),SC-63